• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP3F
• Тип канала: 4 N-Channel
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 395W (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: D3
• Тип канала: 2 N Channel (Phase Leg)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1392nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18.1pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 2.031kW (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP6
• Тип корпуса: SP6
• Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 694W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 350V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 250W

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Тип канала: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 49A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 250W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP6-P
• Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 251A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 1.042kW (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: TO-243AA (SOT-89)
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 357W