• Производитель: Microchip Technology
• Package / Case: M177
• Тип корпуса: M177
• Частота: 150MHz
• Номинальное напряжение: 170V
• Current - Test: 250mA
• Выходная мощность: 300W
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 25dB
• Voltage - Test: 50V
• Номинальный ток: 2mA

• Производитель: Microchip Technology

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 350V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: TO-243AA (SOT-89)
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 450V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.3W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Package / Case: M177
• Тип корпуса: M177
• Частота: 150MHz
• Номинальное напряжение: 170V
• Current - Test: 250mA
• Выходная мощность: 300W
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 25dB
• Voltage - Test: 50V
• Номинальный ток: 2mA

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP6C
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 538A (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (5x5)
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.1A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP3F
• Тип канала: 2 N Channel (Phase Leg)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
• Мощность - Макс.: 365W (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP3F
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TC)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP3X
• Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10.7nF @ 50V
• Мощность - Макс.: 341W (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP6-P
• Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V
• Мощность - Макс.: 674W (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 12-DFN (4x4)
• Тип канала: 2 N and 2 P-Channel
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 277W

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP6-P
• Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 390W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V