• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
PTRA082808NF-V1-R5 RF LDMOS FET 280W, 790 - 820MHZ Cree/Wolfspeed HBSOF-6-2 790MHz ~ 820MHz 105V 10µA LDMOS (Dual), Common Source PG-HBSOF-6-2 280W 15.5dB 48V 200mA
CGHV31500F RF MOSFET HEMT 50V 440217 Cree/Wolfspeed 440217 2.7GHz ~ 3.1GHz 125V 24A HEMT 440217 500W 13.5dB 50V 500mA GaN
PTVA092407NF-V1-R5 IC RF LDMOS FET 4HBSOF Cree/Wolfspeed HBSOF-4-1 869MHz ~ 960MHz 105V 10µA LDMOS PG-HBSOF-4-1 240W 22.5dB 48V 900mA
PTFB091802FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
ARF477FL RF PWR MOSFET 500V 10A Microsemi Corporation 65MHz 500V 15A 2 N-Channel (Dual) Common Source 400W 16dB 150V
QPD1008L RF TRANSISTOR 125W 50V NI-360 RFMD
NE4210S01-T1B SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC 4-SMD 12GHz 4V 15mA HFET SMD 13dB 0.5dB 2V 10mA
SCH2602-TL-E PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
FTD2017A-TL-E NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK304E-SPA NCH J-FET Rochester Electronics, LLC
2SK3617-S-TL-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SJ659-DL-E PCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
BF909R,215 N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC SOT-143R 800MHz 7V 40mA N-Channel Dual Gate SOT-143R 2dB 5V 15mA
CPH3303-TL-E PCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
MRF8P23080HSR5 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC NI-780S-4 2.3GHz 65V LDMOS (Dual) NI-780S-4 16W 14.6dB 28V 280mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100