-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: E1
- Тип корпуса: E1
- Конфигурация: Full Bridge Inverter
- Мощность - Макс.: 210W
- Ток коллектора (макс): 89A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 500µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
- Напряжение затвора (макс): ±10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™ P7
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: PG-TO251-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 400V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 306pF @ 400V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 34.7W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 400 @ 10A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-3
- Мощность - Макс.: 25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: Micro6™(TSOP-6)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 511pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type B)
- Тип канала: N and P-Channel Complementary
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW (Ta)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 380 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: TrenchMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-100, SOT-669
- Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2090pF @ 12V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Серия: BLC
- Package / Case: SOT-1258-7
- Тип корпуса: SOT-1258-7
- Частота: 1.805GHz ~ 1.88GHz
- Тип транзистора: LDMOS
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: PowerMESH™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 55W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
- Switching Energy: 3.5mJ (off)
- Gate Charge: 33nC
- Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SMini3-G1
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 80MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN2020MD-6
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100