• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
BCR 114T E6327 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Infineon Technologies 100mA 50V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-SC-75 4.7kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 30 @ 5mA, 5V 160MHz 10kOhms SC-75, SOT-416
DTA124ECA-TP TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23 Micro Commercial Co 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-23 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PIMP32-QX TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSOP Nexperia USA Inc. 500mA 50V 290mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 6-TSOP 2.2kOhms 100mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 70 @ 50mA, 5V 140MHz 10kOhms SC-74, SOT-457 Automotive, AEC-Q101
NSVMMUN2131LT1G TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 onsemi 100mA 50V 246mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-23-3 (TO-236) 2.2kOhms 250mV @ 5mA, 10mA 500nA 8 @ 5mA, 10V 2.2kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMUN2230LT1G TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 onsemi 100mA 50V 246mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-23-3 (TO-236) 1kOhms 250mV @ 5mA, 10mA 500nA 3 @ 5mA, 10V 1kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SMUN5214T1G TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 onsemi 100mA 50V 202mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-70-3 (SOT323) 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SC-70, SOT-323
UNR511500L TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SMini3-G1 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 160 @ 5mA, 10V 80MHz SC-70, SOT-323
DMA561070R TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 150mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SMini5-F3-B 22kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 160 @ 5mA, 10V 5-SMD, Flat Leads
UNR521N00L TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SMini3-G1 4.7kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 150MHz 47kOhms SC-70, SOT-323
NSBC123JDXV6T1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 500mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) SOT-563 2.2kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SOT-563, SOT-666
DTC044EEBTL TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Rohm Semiconductor 30mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased EMT3F (SOT-416FL) 47kOhms 150mV @ 500µA, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 47kOhms SC-89, SOT-490
EMH2FHAT2R NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Rohm Semiconductor 100mA 50V 150mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) EMT6 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SOT-563, SOT-666 Automotive, AEC-Q101
DTC144EEBTL TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F Rohm Semiconductor 30mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased EMT3F (SOT-416FL) 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-89, SOT-490
RN2606(TE85L,F) TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SM6 4.7kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kOhms SC-74, SOT-457
RN2105CT(TPL3) TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 Toshiba Semiconductor and Storage 50mA 20V 50mW Surface Mount PNP - Pre-Biased CST3 2.2kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 500nA 120 @ 10mA, 5V 47kOhms SC-101, SOT-883
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.