• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
HGT1S20N36G3VLS IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL Fairchild Semiconductor TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 37.7A 415 V 150W Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) TO-263AB Logic 1.9V @ 5V, 20A 300V, 10A, 25Ohm, 5V 28.7nC -/15µs (off)
AIKW40N65DF5XKSA1 IC DISCRETE 650V TO247-3 Infineon Technologies TO-247-3 74A 650V 250W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) PG-TO247-3-41 Standard Trench 2.1V @ 15V, 40A 400V, 20A, 15Ohm, 15V 120A 350µJ (on), 100µJ (off) 95nC 19ns/165ns Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IKB30N65EH5ATMA1 IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK Infineon Technologies TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 55A 650V 188W Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) PG-TO263-3 Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 30A 400V, 30A, 22Ohm, 15V 90A 75ns 870µJ (on), 300µJ (off) 70nC 24ns/159ns TrenchStop™ 5
AUIRGF76524D0 DIODE IGBT 680V 24A TO-247AD Infineon Technologies
FF300R17ME4PB11BPSA1 IGBT MOD 1700V 600A 20MW Infineon Technologies Module 600A 1700V 20mW Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C Module Trench Field Stop 3mA 2.3V @ 15V, 300A 24.5nF @ 25V Standard Yes EconoDUAL™ 3
IRG8CH50K10F IGBT CHIP WAFER Infineon Technologies Die 50A 1200V Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) Die Standard 2V @ 15V, 50A 600V, 50A, 5Ohm, 15V 245nC 60ns/285ns
IRGB15B60KDPBF IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N International Rectifier TO-220-3 31A 600V 208W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB Standard NPT 2.2V @ 15V, 15A 400V, 15A, 22Ohm, 15V 62A 92ns 220µJ (on), 340µJ (off) 84nC 34ns/184ns
APTGT200TL60G IGBT MODULE 600V 300A 652W SP6 Microsemi Corporation SP6 300A 600V 652W Chassis Mount Three Level Inverter -40°C ~ 175°C (TJ) SP6 Trench Field Stop 350µA 1.9V @ 15V, 200A 12.2nF @ 25V Standard No
APT40GP90JDQ2 IGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP Microsemi Corporation ISOTOP 64A 900V 284W Chassis Mount Single -55°C ~ 150°C (TJ) ISOTOP® PT 350µA 3.9V @ 15V, 40A 3.3nF @ 25V Standard No POWER MOS 7®
FGH50T65UPD IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3 onsemi TO-247-3 100A 650V 340W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 2.3V @ 15V, 50A 400V, 50A, 6Ohm, 15V 150A 53ns 2.7mJ (on), 740µJ (off) 230nC 32ns/160ns
NGTB50N60SWG IGBT 600V 50A TO247 onsemi TO-247-3 100A 600V Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 2.6V @ 15V, 50A 400V, 50A, 10Ohm, 15V 200A 376ns 600µJ (off) 135nC 70ns/144ns
CM500HA-34A IGBT MOD 1700V 500A 5000W Powerex Inc. Module 500A 1700V 5000W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) Module 1mA 2.8V @ 15V, 500A 120nF @ 10V Standard No IGBTMOD™
RJP4006AGE-01#P5 IGBTS, 400V, 120A, N-CHANNEL Renesas Electronics America Inc
RGT30TM65DGC9 FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor TO-220-3 Full Pack 14A 650V 32W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-220NFM Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 15A 400V, 15A, 10Ohm, 15V 45A 55ns 32nC 18ns/64ns
STGP7NB60HD IGBT 600V 14A 80W TO220 STMicroelectronics TO-220-3 14A 600V 80W Through Hole 150°C (TJ) TO-220 Standard 2.8V @ 15V, 7A 480V, 7A, 10Ohm, 15V 56A 100ns 85µJ (off) 42nC 15ns/75ns PowerMESH™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.