Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 1041W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • APT80GP60B2G
    IGBT 600V 100A 1041W TMAX
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
    • Мощность - Макс.: 1041W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT80GP60B2G
    IGBT 600V 100A 1041W TMAX
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
    • Мощность - Макс.: 1041W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGF150A120T3AG
    IGBT MODULE 1200V 210A 1041W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1041W
    • Ток коллектора (макс): 210A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGF150A120T3AG
    IGBT MODULE 1200V 210A 1041W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1041W
    • Ток коллектора (макс): 210A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100