Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 1042W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • APT75GP120B2G
    IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Мощность - Макс.: 1042W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
    • Gate Charge: 320nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VS-GA200TH60S
    IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
    • Тип корпуса: Double INT-A-PAK
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1042W
    • Ток коллектора (макс): 260A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 5µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A (Typ)
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.1nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VS-GT300YH120N
    IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
    • Тип корпуса: Double INT-A-PAK
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1042W
    • Ток коллектора (макс): 341A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 300µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT75GP120B2G
    IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Мощность - Макс.: 1042W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
    • Gate Charge: 320nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100