• Мощность - Макс.
  • Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
APT75GP120B2G IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Microchip Technology TO-247-3 Variant 100A 1200V 1042W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) Standard PT 3.9V @ 15V, 75A 600V, 75A, 5Ohm, 15V 300A 1620µJ (on), 2500µJ (off) 320nC 20ns/163ns POWER MOS 7®
APT75GP120B2G IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Microsemi Corporation TO-247-3 Variant 100A 1200V 1042W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) Standard PT 3.9V @ 15V, 75A 600V, 75A, 5Ohm, 15V 300A 1620µJ (on), 2500µJ (off) 320nC 20ns/163ns POWER MOS 7®
VS-GT300YH120N IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division Double INT-A-PAK (3 + 8) 341A 1200V 1042W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) Double INT-A-PAK Trench 300µA 2.17V @ 15V, 300A (Typ) 36nF @ 30V Standard No
VS-GA200TH60S IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division Double INT-A-PAK (3 + 4) 260A 600V 1042W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) Double INT-A-PAK 5µA 1.9V @ 15V, 200A (Typ) 13.1nF @ 25V Standard No