- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 1042W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
- Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
- Gate Charge: 320nC
- Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
- Тип корпуса: Double INT-A-PAK
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 1042W
- Ток коллектора (макс): 260A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 5µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A (Typ)
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.1nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
- Тип корпуса: Double INT-A-PAK
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 1042W
- Ток коллектора (макс): 341A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 300µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 1042W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
- Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
- Gate Charge: 320nC
- Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100