Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 115.4 W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • IKD15N60RC2ATMA1
    IKD15N60RC2ATMA1
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3
    • Время обратного восстановления (trr): 129ns
    • Мощность - Макс.: 115.4 W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 28A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
    • Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
    • Gate Charge: 72nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100