Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 110W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 14
  • IHD10N60RA
    IGBT 600V 20A 110W TO252-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3-11
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Switching Energy: 270µJ
    • Gate Charge: 62nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH10N170
    IGBT 1700V 20A 110W TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 70A
    • Gate Charge: 32nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKW15T120FKSA1
    IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-1
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
    • Switching Energy: 2.7mJ
    • Gate Charge: 85nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FP15R12YT3BOMA1
    IGBT MOD 1200V 25A 110W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Ток коллектора (макс): 25A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGF80N60UFTU
    IGBT 600V 80A 110W TO3PF
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-3PF
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 220A
    • Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off)
    • Gate Charge: 175nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGF80N60UFTU
    IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-3PF
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 220A
    • Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off)
    • Gate Charge: 175nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGB10N60TATMA1
    IGBT 600V 20A 110W TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: PG-TO263-3-2
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Switching Energy: 430µJ
    • Gate Charge: 62nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKP10N60TXKSA1
    IGBT 600V 20A 110W TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Время обратного восстановления (trr): 115ns
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Switching Energy: 430µJ
    • Gate Charge: 62nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGW15T120
    IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-21
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
    • Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
    • Gate Charge: 85nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGW15T120FKSA1
    IGBT 1200V 30A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-1
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
    • Switching Energy: 2.7mJ
    • Gate Charge: 85nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGP10N60TXKSA1
    IGBT 600V 20A TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Switching Energy: 430µJ
    • Gate Charge: 62nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGT10N170
    IGBT 1700V 20A 110W TO268
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: TO-268AA
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 70A
    • Gate Charge: 32nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKB10N60TATMA1
    IGBT 600V 20A 110W TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: PG-TO263-3-2
    • Время обратного восстановления (trr): 115ns
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Switching Energy: 430µJ
    • Gate Charge: 62nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS15R12YT3BOMA1
    IGBT MOD 1200V 25A 110W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 110W
    • Ток коллектора (макс): 25A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100