Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 1040W
-
- Тип корпуса
- Input Type
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: D-3 Module
- Тип корпуса: D3
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 1040W
- Ток коллектора (макс): 300A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 6mA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: D-3 Module
- Тип корпуса: D3
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 1040W
- Ток коллектора (макс): 300A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 6mA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: BIMOSFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Время обратного восстановления (trr): 360ns
- Мощность - Макс.: 1040W
- Input Type: Standard
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
- Test Condition: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
- Switching Energy: 3.8mJ (off)
- Gate Charge: 358nC
- Td (on/off) @ 25°C: 26ns/418ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: BIMOSFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Время обратного восстановления (trr): 1.5µs
- Мощность - Макс.: 1040W
- Input Type: Standard
- Ток коллектора (макс): 200A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 580A
- Gate Charge: 350nC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: BIMOSFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264AA
- Время обратного восстановления (trr): 360ns
- Мощность - Макс.: 1040W
- Input Type: Standard
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
- Test Condition: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
- Switching Energy: 3.8mJ (off)
- Gate Charge: 358nC
- Td (on/off) @ 25°C: 26ns/418ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 1040W
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 5mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Powerex Inc.
- Серия: IGBTMOD™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 1040W
- Ток коллектора (макс): 400A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6.5V @ 15V, 400A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 63nF @ 10V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: GenX3™, XPT™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: PLUS264™
- Время обратного восстановления (trr): 420ns
- Мощность - Макс.: 1040W
- Input Type: Standard
- Ток коллектора (макс): 164A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 320A
- Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
- Gate Charge: 215nC
- Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: BIMOSFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264AA
- Время обратного восстановления (trr): 1.5µs
- Мощность - Макс.: 1040W
- Input Type: Standard
- Ток коллектора (макс): 200A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 580A
- Gate Charge: 350nC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100