Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 1000W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 21
  • APTGLQ200H120G
    IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 350A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGL240TL120G
    IGBT MODULE 1200V 305A 1000W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Three Level Inverter
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 305A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSM100GB170DN2HOSA1
    IGBT MOD 1700V 145A 1000W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 145A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGLQ300H65G
    IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 600A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 300µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGN400N60B3
    IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 31nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGLQ200H120G
    IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 350A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGL240TL120G
    IGBT MODULE 1200V 305A 1000W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Three Level Inverter
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 305A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGK400N30A3
    IGBT 300V 400A 1000W TO264AA
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264 (IXGK)
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 400A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 1200A
    • Gate Charge: 560nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGX320N60A3
    IGBT 600V 320A 1000W PLUS247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: PLUS247™-3
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 320A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 700A
    • Gate Charge: 560nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS200R12PT4BOSA1
    IGBT MOD 1200V 280A 1000W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoPACK™ 4
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 280A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BYM300A120DN2HOSA1
    IGBT MOD 1200V 450A 1000W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 450A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Input: Standard
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGK320N60A3
    IGBT 600V 320A 1000W TO264AA
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264 (IXGK)
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 320A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 700A
    • Gate Charge: 560nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS200R12KT4RBOSA1
    IGBT MOD 1200V 280A 1000W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 280A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS200R12KT4RB11BOSA1
    IGBT MOD 1200V 280A 1000W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 280A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGLQ300H65G
    IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 1000W
    • Ток коллектора (макс): 600A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 300µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100