• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN Cree/Wolfspeed 6-VDFN Exposed Pad 0Hz ~ 6GHz 84V HEMT 6-QFN-EP (3x3) 8W 12dB 28V 100mA GaN
CGH21240F GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ Cree/Wolfspeed 440117 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V HEMT 440117 240W 15dB 28V 1A GaN
PTFB182503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
PXAC201202FC-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.2GHz 65V LDMOS H-37248-4 16W 17dB 28V 240mA
PTFB192503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 Cree/Wolfspeed 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 1.99GHz 65V LDMOS H-34288-4/2 50W 19dB 30V 1.9A
PTFA192001E1V4XWSA1 FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 Infineon Technologies 2-Flatpack, Fin Leads 1.99GHz 65V LDMOS H-36260-2 50W 15.9dB 30V 1.8A
375-102N12A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 1000V 12A N-Channel DE375 940W DE
BF1100R,215 MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 Rochester Electronics, LLC SOT-143R 800MHz 14V 30mA N-Channel Dual Gate SOT-143R 2dB 9V 10mA
EC4409C-TL-H NCH 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
BF1205,115 FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP Rochester Electronics, LLC 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz 10V 30mA N-Channel Dual Gate 6-TSSOP 26dB 1.2dB 5V 12mA
MRF8P18265HSR5 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC SOT-1110B 1.88GHz 65V LDMOS NI1230S-8 72W 16dB 30V 800mA
FC18G-TL NCH J-FET+BIP NPN Rochester Electronics, LLC
MCH6406-TL-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK937Y5-AA NCH J-FET Rochester Electronics, LLC
TF009F-AC NCH J-FET Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100