-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Конфигурация
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Входной каскад
|
Тип канала
|
IGBT Type
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Выходная мощность
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Input Capacitance (Cies) @ Vce
|
Input
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Test Condition
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
Noise Figure (dB Typ @ f)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
NTC Thermistor
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
Сопротивление канала (On)
|
Ток стока макс (Id)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD645-S | TRANS NPN DARL 60V 8A TO220 | Bourns Inc. | TO-220-3 | 8A | 60V | 2W | Through Hole | NPN - Darlington | -65°C ~ 150°C (TJ) | TO-220 | 2.5V @ 50mA, 5A | 500µA | 750 @ 3A, 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5305DFTTU-FS | POWER BIPOLAR TRANSISTOR | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 Full Pack | 5A | 400V | 75W | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-220F-3 | 500mV @ 400mA, 2A | 10µA (ICBO) | 22 @ 800mA, 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848A | TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100mA | 30V | 200mW | Surface Mount | NPN | -65°C ~ 150°C (TJ) | SOT-23 | 500mV @ 5mA, 100mA | 100nA (ICBO) | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | SOT-23 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB80N04S403ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | PG-TO263-3-2 | N-Channel | 94W (Tc) | 40V | 80A (Tc) | 3.3mOhm @ 80A, 10V | 10V | 4V @ 53µA | 66nC @ 10V | 5260pF @ 25V | ±20V | OptiMOS™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30K-S | IGBT 600V 28A 100W D2PAK | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 28A | 600V | 100W | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | D2PAK | Standard | 2.7V @ 15V, 16A | 480V, 16A, 23Ohm, 15V | 58A | 360µJ (on), 510µJ (off) | 67nC | 26ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | IXYS | TO-247-3 | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-247 (IXTH) | N-Channel | 300W (Tc) | 1000V | 12A (Tc) | 1.05Ohm @ 6A, 10V | 10V | 4.5V @ 250µA | 170nC @ 10V | 4000pF @ 25V | ±20V | MegaMOS™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXSH30N60CD1 | IGBT 600V 55A 200W TO247AD | IXYS | TO-247-3 | 55A | 600V | 200W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-247AD | Standard | 2.5V @ 15V, 30A | 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V | 110A | 50ns | 700µJ (off) | 100nC | 30ns/90ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VRF154FL | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 | Microchip Technology | T2 | 80MHz | 170V | 4mA | N-Channel | T2 | 600W | 17dB | 50V | 800mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT85GR120L | IGBT 1200V 170A 962W TO264 | Microchip Technology | TO-264-3, TO-264AA | 170A | 1200V | 962W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-264 | Standard | NPT | 3.2V @ 15V, 85A | 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V | 340A | 6mJ (on), 3.8mJ (off) | 660nC | 43ns/300ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6760 | MOSFET N-CH | Microsemi Corporation | TO-204AA, TO-3 | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-204AA (TO-3) | N-Channel | 4W (Ta), 75W (Tc) | 400V | 5.5A (Tc) | 1.22Ohm @ 5.5A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±20V | Military, MIL-PRF-19500/542 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDWS9508L-F085 | PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM | onsemi | 8-PowerTDFN | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 8-PQFN (5x6) | P-Channel | 214W (Tj) | 40V | 80A (Tc) | 4.9mOhm @ 80A, 10V | 4.5V, 10V | 3V @ 250µA | 107nC @ 10V | 4840pF @ 20V | ±16V | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIS97_D74Z | TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3 | onsemi | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 500mA | 40V | 625mW | Through Hole | NPN | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-92-3 | 10nA (ICBO) | 250 @ 100µA, 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5961_D27Z | TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3 | onsemi | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 100mA | 60V | 625mW | Through Hole | NPN | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-92-3 | 200mV @ 500µA, 10mA | 2nA (ICBO) | 150 @ 10mA, 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128B96 | HIGH FREQUENCY TRANSISTOR ARRAY | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW69N65M5 | MOSFET N-CH 650V 58A TO-247 | STMicroelectronics | TO-247-3 | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | TO-247 | N-Channel | 330W (Tc) | 650V | 58A (Tc) | 45mOhm @ 29A, 10V | 10V | 5V @ 250µA | 143nC @ 10V | 6420pF @ 100V | ±25V | MDmesh™ V |
- 10
- 15
- 50
- 100