-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: SOT-23
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AD
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Мощность - Макс.: 200W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 55A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 110A
- Switching Energy: 700µJ (off)
- Gate Charge: 100nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 962W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 170A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 340A
- Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
- Gate Charge: 660nC
- Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: MegaMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/542
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 75W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 2nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 100µA, 5V
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: PG-TO263-3-2
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 53µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5260pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 94W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Package / Case: T2
- Тип корпуса: T2
- Частота: 80MHz
- Номинальное напряжение: 170V
- Current - Test: 800mA
- Выходная мощность: 600W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 50V
- Номинальный ток: 4mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-3
- Мощность - Макс.: 75W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 22 @ 800mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 214W (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 28A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 58A
- Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
- Gate Charge: 67nC
- Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 50mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: MDmesh™ V
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 143nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6420pF @ 100V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 330W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±25V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100