• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
PXAC182002FC-V1-R0 RF MOSFET TRANSISTORS Cree/Wolfspeed
GTVA101K42EV-V1-R250 GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ Cree/Wolfspeed H-36275-4 960MHz ~ 1.215GHz 125V HEMT H-36275-4 1400W 17dB 50V 200mA GaN
GTVA123501FA-V1-R0 350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET Cree/Wolfspeed H-37265J-2 1.2GHz ~ 1.4GHz 125V HEMT H-37265J-2 350W 20dB 50V 100mA GaN
PTFB193404F-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 1.99GHz 65V LDMOS H-37275-6/2 80W 19dB 30V 2.6A
PTFB082817FHV1R250XTMA1 IC FET RF LDMOS H-34288 Infineon Technologies 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 821MHz 65V LDMOS H-34288-4/2 60W 19.3dB 28V 2.15A
PTAC260302SCV1S250XTMA1 IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 Infineon Technologies
375-501N21A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 50MHz 500V 25A N-Channel DE375 940W DE
BF909WR,115 N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC SC-82A, SOT-343 800MHz 7V 40mA N-Channel Dual Gate CMPAK-4 2dB 5V 15mA
BXL4004-1EX NCH 4.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
BF 1009SR E6327 RF N-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC SOT-143R 800MHz 12V 25mA N-Channel PG-SOT143R-4 22dB 1.4dB 9V
FTD1011-TL-E PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
30C01S-TL-E BIP NPN 0.4A 30V Rochester Electronics, LLC
SCH2817-TL-E NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
CPH5811-TL-E NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
ECH8901-TL-H PCH+PNP 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100