-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Конфигурация
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Входной каскад
|
Тип канала
|
IGBT Type
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Выходная мощность
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Input Capacitance (Cies) @ Vce
|
Input
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Test Condition
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
Noise Figure (dB Typ @ f)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
NTC Thermistor
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
Сопротивление канала (On)
|
Ток стока макс (Id)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLC9G20LS-470AVTZ | RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 | Ampleon USA Inc. | SOT-1258-3 | 1.81GHz ~ 1.88GHz | 65V | LDMOS (Dual), Common Source | DFM6 | 470W | 15.7dB | 28V | 400mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4392-CM | JFET N-CH SWITCH CHOPPER | Central Semiconductor Corp | Die | Surface Mount | -65°C ~ 175°C (TJ) | Die | N-Channel | 14pF @ 20V | 40V | 2V @ 1A | 60 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX52TA | TRANS PNP 60V 1A SOT89-3 | Diodes Incorporated | TO-243AA | 1A | 60V | 1W | Surface Mount | PNP | -65°C ~ 150°C (TJ) | SOT-89-3 | 500mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 40 @ 150mA, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP2012A | TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC849CWH6327XTSA1 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 | Infineon Technologies | SC-70, SOT-323 | 100mA | 30V | 250mW | Surface Mount | NPN | 150°C (TJ) | PG-SOT323 | 600mV @ 5mA, 100mA | 15nA (ICBO) | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL1404ZSPBF | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | D2PAK | N-Channel | 230W (Tc) | 40V | 75A (Tc) | 3.1mOhm @ 75A, 10V | 4.5V, 10V | 2.7V @ 250µA | 110nC @ 5V | 5080pF @ 25V | ±16V | HEXFET® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP50B60PDPBF | IGBT 600V 75A 370W TO247AC | Infineon Technologies | TO-247-3 | 75A | 600V | 370W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-247AC | Standard | NPT | 2.6V @ 15V, 50A | 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V | 150A | 50ns | 360µJ (on), 380µJ (off) | 240nC | 34ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGK82N120B3 | IGBT 1200V 230A 1250W TO264 | IXYS | TO-264-3, TO-264AA | 230A | 1200V | 1250W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-264 (IXGK) | Standard | PT | 3.2V @ 15V, 82A | 600V, 80A, 2Ohm, 15V | 500A | 5mJ (on), 3.3mJ (off) | 350nC | 30ns/210ns | GenX3™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXSN50N60BD2 | IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B | IXYS | SOT-227-4, miniBLOC | 75A | 600V | 250W | Chassis Mount | Single | -40°C ~ 150°C (TJ) | SOT-227B | 350µA | 2.5V @ 15V, 50A | 3.85nF @ 25V | Standard | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N5662 | TRANS NPN 200V 2A TO5 | Microchip Technology | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | 2A | 200V | 1W | Through Hole | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | TO-5 | 800mV @ 400mA, 2A | 200nA | 40 @ 500mA, 5V | Military, MIL-PRF-19500/454 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF180DU60TG | IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4 | Microsemi Corporation | SP4 | 220A | 600V | 833W | Chassis Mount | Dual, Common Source | SP4 | NPT | 300µA | 2.5V @ 15V, 180A | 8.6nF @ 25V | Standard | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS355AN_G | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | SuperSOT-3 | N-Channel | 500mW (Ta) | 30V | 1.7A (Ta) | 85mOhm @ 1.9A, 10V | 4.5V, 10V | 2V @ 250µA | 5nC @ 5V | 195pF @ 15V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVGS4141NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP | onsemi | SOT-23-6 | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 6-TSOP | N-Channel | 500mW (Ta) | 30V | 3.5A (Ta) | 25mOhm @ 7A, 10V | 4.5V, 10V | 3V @ 250µA | 12nC @ 10V | 560pF @ 24V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA503T-T1-A | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | Renesas Electronics America Inc | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | Surface Mount | SC-59-5, Mini Mold | 2 P-Channel (Dual) | 50V | 100mA | Standard | 60Ohm @ 10mA, 10V | 2.5V @ 1µA | 17pF @ 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 | Rohm Semiconductor | SC-70, SOT-323 | 100mA | 45V | 200mW | Surface Mount | NPN | 150°C (TJ) | UMT3 | 600mV @ 5mA, 100mA | 15nA (ICBO) | 200 @ 2mA, 5V | 200MHz | Automotive, AEC-Q101 |
- 10
- 15
- 50
- 100