• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
BLF8G20LS-140GVQ RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Ampleon USA Inc. SOT-1244B 1.81GHz ~ 1.88GHz 65V LDMOS CDFM6 35W 18.5dB 28V 900mA
CGHV59350F RF MOSFET HEMT 50V 440217 Cree/Wolfspeed 440217 5.2GHz ~ 5.9GHz 125V 24A HEMT 440217 450W 11.2dB 50V 1A GaN
PTVA101K02EV-V1-R250 RF DEVELOPMENT TOOLS Cree/Wolfspeed
GTVA263202FC-V1-R2 RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.62GHz ~ 2.69GHz 125V HEMT H-37248-4 340W 17dB 48V 200mA GaN
PTVA093002ND-V1-R5 IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4 Cree/Wolfspeed
PXAE263708NB-V1-R0 SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ Cree/Wolfspeed PG-HB2SOF-8-1 2.62GHz ~ 2.69GHz 65V 10µA LDMOS PG-HB2SOF-8-1 57W 14dB 28V 850mA
GTRA362802FC-V1-R0 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH Cree/Wolfspeed H-37248C-4 3.4GHz ~ 3.6GHz 125V HEMT H-37248C-4 280W 13.5dB 48V 200mA GaN
CGHV1J006D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE Cree/Wolfspeed Die 18GHz 100V HEMT Die 6W 17dB 40V 30mA GaN
PTVA042502FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
PTFB211503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 2.17GHz 65V LDMOS H-34288-4/2 32W 18dB 30V 1.2A
ARF1510 MOSFET RF N-CH 1000V 8A T1 Microsemi Corporation T-1 40.7MHz 1000V 8A N-Channel T-1 750W 15dB 400V
SCH1305-TL-E PCH 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK2617ALS-CB11 NCH 15V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
30C01M-TL-E BIP NPN 0.4A 30V Rochester Electronics, LLC
CPH3337-T-TL-E PCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100