• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
PXAC201602FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.02GHz 65V LDMOS H-37248-4 22.5W 17.7dB 28V 360mA
PXAC241702FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.4GHz 65V LDMOS H-37248-4 28W 16.5dB 28V 360mA
GTVA220701FA-V1-R2 GAN SIC Cree/Wolfspeed
PTFA211801E-V5-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2 Cree/Wolfspeed 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA LDMOS H-36260-2 180W 15.5dB 28V 1.2A
PXAD184218FV-V1-R2 IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 Cree/Wolfspeed H-37275G-6/2 1.805GHz ~ 1.88GHz 65V 10µA LDMOS H-37275G-6/2 130W 14dB 28V 720mA
PTVA120251EA-V1 RF MOSFET LDMOS H-36265-2 Cree/Wolfspeed H-36265-2 500MHz ~ 1.4GHz 105V 10µA LDMOS H-36265-2 34W 15.8dB
VRF141 MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174 Microsemi Corporation M174 30MHz 80V 20A N-Channel M174 150W 20dB 28V 250mA
PDTB143EQA147 PDTB143EQA SMALL SIGNAL FET Rochester Electronics, LLC
CPH5870-TL-E NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
BLF888,112 RF TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SOT-979A 860MHz 104V LDMOS (Dual), Common Source CDFM2 250W 19dB 50V 1.3A
STB60N06HDT4 NFET D2PAK SPCL 60V TR Rochester Electronics, LLC
BF904AR,215 MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143 Rochester Electronics, LLC SOT-143R 200MHz 7V 30mA N-Channel Dual Gate SOT-143R 1dB 4V 10mA
2SJ637-S-TL-E PCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
NTD2955-001 P-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC
MCH3402-TL-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100