-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Конфигурация
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Входной каскад
|
Тип канала
|
IGBT Type
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Выходная мощность
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Input Capacitance (Cies) @ Vce
|
Input
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Test Condition
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
Noise Figure (dB Typ @ f)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
NTC Thermistor
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
Сопротивление канала (On)
|
Ток стока макс (Id)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD2606 | MOSFET N-CH 60V 46A TO252 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | TO-252, (D-Pak) | N-Channel | 2.5W (Ta), 150W (Tc) | 60V | 14A (Ta), 46A (Tc) | 6.8mOhm @ 20A, 10V | 10V | 3.5V @ 250µA | 75nC @ 10V | 4050pF @ 30V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CE3512K2 | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | CEL | 4-Micro-X | 12GHz | 4V | 15mA | pHEMT FET | 4-Micro-X | 125mW | 13.7dB | 0.5dB | 2V | 10mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC1674CYBU | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | Fairchild Semiconductor | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 20mA | 20V | 250mW | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 120 @ 1mA, 6V | 600MHz | 3dB ~ 5dB @ 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST5087MTF-FS | TRANS PNP 50V 0.05A SOT23 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 50mA | 50V | 350mW | Surface Mount | PNP | SOT-23 | 300mV @ 1mA, 10mA | 50nA (ICBO) | 250 @ 10mA, 5V | 40MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV92MTF | TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 500mA | 350V | Surface Mount | PNP | SOT-23-3 | 500mV @ 2mA, 20mA | 250nA (ICBO) | 40 @ 10mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3303D1STRL | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | D2PAK | N-Channel | 68W (Tc) | 30V | 38A (Tc) | 26mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 1V @ 250µA | 26nC @ 4.5V | 870pF @ 25V | ±16V | HEXFET® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC 847B B5003 | TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 | Infineon Technologies | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100mA | 45V | 330mW | Surface Mount | NPN | 150°C (TJ) | PG-SOT23 | 600mV @ 5mA, 100mA | 15nA (ICBO) | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2604UB/TR | TRANS PNP 60V 0.03A UB | Microchip Technology | 4-SMD, No Lead | 30mA | 60V | 400mW | Surface Mount | PNP | -65°C ~ 200°C (TJ) | UB | 300mV @ 500µA, 10mA | 10nA | 60 @ 500µA, 5V | Military, MIL-PRF-19500/354 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT150DH120G | IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 | Microchip Technology | SP6 | 220A | 1200V | 690W | Chassis Mount | Asymmetrical Bridge | SP6 | Trench Field Stop | 350µA | 2.1V @ 15V, 150A | 10.7nF @ 25V | Standard | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD882-R-BP | TRANS NPN 30V 3A TO126 | Micro Commercial Co | TO-225AA, TO-126-3 | 3A | 30V | 1.25W | Through Hole | NPN | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-126 | 500mV @ 200mA, 2A | 1µA | 60 @ 1A, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3791 | TO-3 | Microsemi Corporation | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6292G | TRANS NPN 70V 7A TO220 | onsemi | TO-220-3 | 7A | 70V | 40W | Through Hole | NPN | -65°C ~ 150°C (TJ) | TO-220 | 3.5V @ 3A, 7A | 1mA | 30 @ 2A, 4V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3205-TL-E | TRANS NPN 50V 3A CPH3 | onsemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQAF11N90 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Rochester Electronics, LLC | TO-3P-3 Full Pack | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-3PF | N-Channel | 120W (Tc) | 900V | 7.2A (Tc) | 960mOhm @ 3.6A, 10V | 10V | 5V @ 250µA | 94nC @ 10V | 3.5pF @ 25V | ±30V | QFET® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ328-Z-AZ | P-CHANNEL POWER MOSFET | Rochester Electronics, LLC |
- 10
- 15
- 50
- 100