-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7960pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
- Напряжение затвора (макс): ±10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 15mA, 150mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 56 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: SIPMOS®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: PG-TO220-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 40W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerUDFN
- Тип корпуса: HUML2020L8
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 700mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Мощность - Макс.: 64W
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700pF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 47W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247N
- Мощность - Макс.: 267W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 30A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
- Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
- Gate Charge: 41nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 2500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 417W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100