-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Конфигурация
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Входной каскад
|
Тип канала
|
IGBT Type
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Выходная мощность
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Input Capacitance (Cies) @ Vce
|
Input
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Test Condition
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
Noise Figure (dB Typ @ f)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
NTC Thermistor
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
Сопротивление канала (On)
|
Ток стока макс (Id)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMTH8012LK3Q-13 | MOSFET NCH 80V 50A TO252 | Diodes Incorporated | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | TO-252, (D-Pak) | N-Channel | 2.6W (Ta) | 80V | 50A (Tc) | 16mOhm @ 12A, 10V | 4.5V, 10V | 3V @ 250µA | 46.8nC @ 10V | 2051pF @ 40V | ±20V | Automotive, AEC-Q101 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA190451FV4R250XTMA1 | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | Infineon Technologies | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | 1.96GHz | 65V | 10µA | LDMOS | H-37265-2 | 11W | 17.5dB | 28V | 450mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC80725E6327HTSA1 | TRANS PNP 45V 0.5A SOT23 | Infineon Technologies | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 500mA | 45V | 330mW | Surface Mount | PNP | 150°C (TJ) | PG-SOT23 | 700mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3506AU4 | TRANS NPN 40V 1UA U4 | Microchip Technology | 3-SMD, No Lead | 1 µA | 40V | 1W | Surface Mount | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | U4 | 1.5V @ 250mA, 2.5A | 1µA | 50 @ 500mA, 1V | Military, MIL-PRF-19500/349 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT20H60T3G | IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3 | Microsemi Corporation | SP3 | 32A | 600V | 62W | Chassis Mount | Full Bridge Inverter | -40°C ~ 175°C (TJ) | SP3 | Trench Field Stop | 250µA | 1.9V @ 15V, 20A | 1.1nF @ 25V | Standard | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3019S | TRANS NPN 80V 1A | Microsemi Corporation | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | 1A | 80V | 800mW | Through Hole | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | TO-39 | 500mV @ 50mA, 500mA | 10nA | 50 @ 500mA, 10V | Military, MIL-PRF-19500/391 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP54-16,115 | TRANS NPN 45V 1A SOT223 | Nexperia USA Inc. | TO-261-4, TO-261AA | 1A | 45V | 960mW | Surface Mount | NPN | 150°C (TJ) | SOT-223 | 500mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 100 @ 150mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD113ZU135 | PDTD113ZU - 0.5A, 50V, NPN | Nexperia USA Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHP225,118-NXP | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | NXP USA Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247 | onsemi | TO-247-3 | 100A | 650V | 595W | Through Hole | -55°C ~ 175°C (TJ) | TO-247-3 | Standard | Trench Field Stop | 2V @ 15V, 75A | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 200A | 80ns | 1.5mJ (on), 1mJ (off) | 310nC | 110ns/270ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC13830S | TRANS NPN 25V 1A TO92L-A1 | Panasonic Electronic Components | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | 1A | 25V | 1W | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92L-A1 | 400mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 170 @ 500mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK304E-SPA | NCH J-FET | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STB40N20 | MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK | STMicroelectronics | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | D2PAK | N-Channel | 160W (Tc) | 200V | 40A (Tc) | 45mOhm @ 20A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 75nC @ 10V | 2500pF @ 25V | ±20V | STripFET™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2105CT(TPL3) | TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 | Toshiba Semiconductor and Storage | SC-101, SOT-883 | 50mA | 20V | 50mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | CST3 | 2.2kOhms | 150mV @ 250µA, 5mA | 500nA | 120 @ 10mA, 5V | 47kOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7164DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | PowerPAK® SO-8 | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerPAK® SO-8 | N-Channel | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 60V | 60A (Tc) | 6.25mOhm @ 10A, 10V | 10V | 4.5V @ 250µA | 75nC @ 10V | 2830pF @ 30V | ±20V | TrenchFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100