• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
BLF10M6LS135U RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT-502B 871.5MHz ~ 891.5MHz 65V LDMOS SOT502B 26.5W 21dB 28V 950mA
CGH60060D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Cree/Wolfspeed Die 6GHz 84V HEMT Die 60W 13dB 28V 400mA GaN
PTFC210202FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.2GHz 65V LDMOS (Dual) H-37248-4 5W 21dB 28V 170mA
CG2H80015D-GP4 RF DISCRETE Cree/Wolfspeed Die Die
CGHV40200PP RF MOSFET HEMT 440199 Cree/Wolfspeed 440199 3GHz 125V 18.7A HEMT 440199 218W 20.1dB
GTVA261802FC-V1-R2 180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH Cree/Wolfspeed H-37248C-4 2.62GHz ~ 2.69GHz 125V HEMT H-37248C-4 170W 16.8dB 48V 160mA GaN
VRF141G RF PWR MOSFET 80V 40A DIE Microsemi Corporation SOT-540A 175MHz 80V 40A N-Channel 300W 14dB 28V 500mA
SRF9030NR1 SRF9030NR1 NXP USA Inc.
MCH3312-EBM-TL-E PCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK3491-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
MRF6VP41KHR7 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC NI-1230 450MHz 110V LDMOS (Dual) NI-1230 1000W 20dB 50V 150mA
MCH6405-TL-E NCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
EC4404C-TL NCH 1.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
TPIC46L02DBLE LOW SIDE PRE FET DRIVER Rochester Electronics, LLC
2SK515-T1B-A SMALL SIGNAL FET Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100