• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
BLF6G22-45,135 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A Ampleon USA Inc. SOT-608A 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V LDMOS CDFM2 2.5W 18.5dB 28V 405mA
PXAC241702FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.4GHz 65V LDMOS H-37248-4 28W 16.5dB 28V 360mA
MAGX-000025-150000 TRANSISTOR RF 150W GAN MACOM Technology Solutions 1.2GHz ~ 1.4GHz 65V 5.5A HEMT 170W 18dB 50V 600mA
MAPG-002729-350L00 TRANSISTOR RF 350W GAN MACOM Technology Solutions 2.7GHz ~ 2.9GHz 55V 10A 400W 11.5dB 50V 500mA
MCH5835-TL-E NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
MCH6308-TL-E PCH 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
CPH3417-TL-E NCH 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
BFL4037-S NCH 10V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK1420-SSO-UR10 NCH 10V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
BF1102,115 FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP Rochester Electronics, LLC 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz 7V 40mA N-Channel Dual Gate 6-TSSOP 2dB 5V 15mA
3SK255-T2-A RF SMALL SIGNAL TRANS Rochester Electronics, LLC
BLF7G27L-150P,112 RF TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SOT539A 2.5GHz ~ 2.7GHz 65V 37A LDMOS (Dual), Common Source SOT539A 30W 16.5dB 28V 1.2A
NTD4809NT4H NFET DPAK 30V 58A 9MOHM Rochester Electronics, LLC
3LP03SS-TL-E PCH 1.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
IRFAE20 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100