-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: DeepGATE™, STripFET™ VI
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerFlat™ (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.8W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: SMini5-F3-B
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Тип корпуса: TO-220-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 48W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
- Напряжение затвора (макс): ±10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 859pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: QFET®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 270mA (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 135mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 75MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerLDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8 (Type D)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 2.16W (Ta)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-70-6
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 900mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 900mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 300mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6-P
- Конфигурация: Three Phase
- Мощность - Макс.: 176W
- Ток коллектора (макс): 80A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 625mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100