• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
BLF6G10S-45K,112 RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B Ampleon USA Inc. SOT-608B 922.5MHz ~ 957.5MHz 65V 13A LDMOS CDFM2 1W 23dB 28V 350mA
CGHV14250P 250W, GAN HEMT, 50V, 0.5-1.8GHZ, Cree/Wolfspeed 440161 1.2GHz ~ 1.4GHz 150V HEMT 440161 250W 17.8dB 50V 500mA GaN
PXAD214218FV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 Cree/Wolfspeed H-37275G-6/2 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA LDMOS H-37275G-6/2 290W 13.5dB 28V 720mA
PTFB090901EA-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-36265-2 Cree/Wolfspeed H-36265-2 960MHz 65V LDMOS H-36265-2 25W 19.5dB 28V 650mA
VRF191 MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 Microsemi Corporation T11 30MHz 270V 12A N-Channel T11 150W 22dB 100V 250mA
ARF469BG RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264 Microsemi Corporation TO-264-3, TO-264AA 45MHz 500V 30A N-Channel TO-264 350W 16dB 150V 250µA
BLF7G24L-100,112 RF TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SOT-502A 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 28A LDMOS LDMOST 20W 18dB 28V 900mA
FW261-TL-E NCH+NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
EC4301C-TL PCH 1.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK1848-TB-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
CPH3423-TL-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK2534-TL-E NCH 10V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK315E-SPA-AC NCH J-FET Rochester Electronics, LLC
MCH3456-TL-E NCH 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SK3078A(TE12L,F) FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI Toshiba Semiconductor and Storage TO-243AA 470MHz 10V 500mA N-Channel PW-MINI 28dbm 8dB 4.5V 50mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100