-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Конфигурация
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Входной каскад
|
Тип канала
|
IGBT Type
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Выходная мощность
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Input Capacitance (Cies) @ Vce
|
Input
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Test Condition
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
Noise Figure (dB Typ @ f)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
NTC Thermistor
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
Сопротивление канала (On)
|
Ток стока макс (Id)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOTF4126 | MOSFET N-CH 100V 6A TO220F | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | TO-220-3 Full Pack | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | TO-220-3F | N-Channel | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | 100V | 6A (Ta), 27A (Tc) | 24mOhm @ 20A, 10V | 7V, 10V | 4V @ 250µA | 42nC @ 10V | 2200pF @ 50V | ±25V | SDMOS™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7494TR | MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC | Infineon Technologies | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | 8-SO | N-Channel | 150V | 5.2A (Ta) | 44mOhm @ 3.1A, 10V | 4V @ 250µA | 54nC @ 10V | 1750pF @ 25V | HEXFET® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3490 | POWER BJT | Microchip Technology | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4036L | SMALL-SIGNAL BJT | Microchip Technology | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT56M60B2 | MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX | Microsemi Corporation | TO-247-3 Variant | Through Hole | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-247 [B] | N-Channel | 1040W (Tc) | 600V | 60A (Tc) | 130mOhm @ 28A, 10V | 10V | 5V @ 2.5mA | 280nC @ 10V | 11300pF @ 25V | ±30V | POWER MOS 8™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV170UN,215 | MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-236AB (SOT23) | N-Channel | 325mW (Ta), 1.14W (Tc) | 20V | 1A (Ta) | 165mOhm @ 1A, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1V @ 250µA | 1.65nC @ 4.5V | 83pF @ 10V | ±8V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSD261CYBU | TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3 | onsemi | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 500mA | 20V | 500mW | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 400mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 120 @ 100mA, 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC697P_F077 | MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6 | onsemi | 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | SuperSOT™-6 FLMP | P-Channel | 2W (Ta) | 20V | 8A (Ta) | 20mOhm @ 8A, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 55nC @ 4.5V | 3524pF @ 10V | ±8V | PowerTrench® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC558CRL1 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | onsemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST64MTF | TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 500mA | 30V | 350mW | Surface Mount | PNP - Darlington | SOT-23-3 | 1.5V @ 100µA, 100mA | 100nA (ICBO) | 20000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSD1616GBU | TRANS NPN 50V 1A TO92-3 | onsemi | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1A | 50V | 750mW | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 300mV @ 50mA, 1A | 100nA (ICBO) | 200 @ 100mA, 2V | 160MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTQD4154ZR2 | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP | onsemi | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 1.52W | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | 8-TSSOP | 2 N-Channel (Dual) | 20V | 7.5A | Logic Level Gate | 19mOhm @ 7.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 21.5nC @ 4.5V | 1485pF @ 16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3SK318YB-TL-E | TRANS N-CH CMPAK-4 | Renesas Electronics America Inc | SC-82A, SOT-343 | 6V | N-Channel Dual Gate | CMPAK-4 | 21dB | 1.4dB | 3.5V | 10mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX68-16E6327 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3457BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP | Vishay Siliconix | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Surface Mount | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 6-TSOP | P-Channel | 1.14W (Ta) | 30V | 3.7A (Ta) | 54mOhm @ 5A, 10V | 4.5V, 10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | TrenchFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100