• Конфигурация
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • Тип канала
    • IGBT Type
    • Резистор базы (R1)
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Выходная мощность
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Test Condition
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Ток стока макс (Id)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94756
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Конфигурация
Номинальный ток
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
Тип канала
IGBT Type
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Выходная мощность
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Резистор эмиттер-база (R2)
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Test Condition
Voltage - Test
Current - Test
Current - Collector Pulsed (Icm)
Noise Figure (dB Typ @ f)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Ток стока макс (Id)
Серия
CGHV14250F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 1.2GHz ~ 1.4GHz 125V 42mA HEMT 440162 330W 18dB 50V 500mA GaN
PTFB183404F-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 1.88GHz 65V LDMOS H-37275-6/2 80W 17dB 30V 2.6A
CGH21120F 120W, GAN HEMT, 28V, 1.8-2.1GHZ, Cree/Wolfspeed 440162 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V HEMT 440162 120W 15dB 28V 500mA GaN
PXAE1837078NB-V1-R0 SI LDMOS AMP 300W 1805-1880MHZ Cree/Wolfspeed
CGHV96050F2 RF MOSFET HEMT 40V 440210 Cree/Wolfspeed 440210 7.9GHz ~ 9.6GHz 100V 6A HEMT 440210 70W 10dB 40V 500mA GaN
PTFB193408SVV1XWSA1 IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 Infineon Technologies H-34275G-6/2 1.99GHz 65V LDMOS (Dual), Common Source H-34275G-6/2 80W 19dB 30V 2.65A
MCH6307-G-TL-E PCH 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
TF009E-AC NCH J-FET Rochester Electronics, LLC
CPH6601-TL-E PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
MCH6608-TL-E NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
2SJ187-TD-E PCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
CPH3322-TL-E PCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
MRFG35010R5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC NI-360HF 3.55GHz 15V pHEMT FET NI-360HF 10W 10dB 12V 180mA
BF1203,115 FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP Rochester Electronics, LLC 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 400MHz 10V 30mA N-Channel Dual Gate 6-TSSOP 27dB 1dB 5V 15mA
BF1108215 SILICON RF SWITCHES Rochester Electronics, LLC TO-253-4, TO-253AA 3V 10mA N-Channel SOT-143B
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100