-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 8™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: TO-247 [B]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 750mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SDMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220-3F
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±25V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
- Тип корпуса: SuperSOT™-6 FLMP
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3524pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: CMPAK-4
- Номинальное напряжение: 6V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
- Усиление: 21dB
- Voltage - Test: 3.5V
- Коэффициент шума: 1.4dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 20000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1485pF @ 16V
- Мощность - Макс.: 1.52W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Серия: TrenchFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.14W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100