• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
SST4391 SOT-23 3L LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH Linear Integrated Systems, Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 40V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 13pF @ 20V 30 Ohms SST4391
LSK170A TO-92 3L LOW NOISE & CAPACITANCE, HIGH IN Linear Integrated Systems, Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 40V 400mW 10 mA Through Hole -55°C ~ 135°C (TJ) TO-92 N-Channel 40V 20pF @ 15V 2.6mA @ 10V 200 mV @ 1 nA LSK170A
SST4117 SOT-23 3L ULTRA HIGH INPUT IMPEDANCE N-CHA Linear Integrated Systems, Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 40V 300mW Surface Mount SOT-23-3 N-Channel 3pF @ 10V SST4117
MV2N4393 N CHANNEL JFET Microsemi Corporation
NTE469 JFET-N-CHANNEL SWITCH NTE Electronics, Inc
NTE461 JFET-MATCHED DUAL N-CH NTE Electronics, Inc
J177,126 JFET P-CH 30V 400MW TO92-3 NXP USA Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 30V 400mW Through Hole 150°C (TJ) TO-92-3 P-Channel 30V 8pF @ 10V (VGS) 1.5mA @ 15V 800mV @ 10nA 300 Ohms
J1A012YXS/T1AY404, TRANSISTOR JFET 8PLLCC NXP USA Inc.
FJN598JBTA JFET N-CH 20V 0.15W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 20V 150mW 1 mA Through Hole 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 3.5pF @ 5V 100µA @ 5V 600mV @ 1µA
TF262TH-4-TL-H JFET N-CH 1MA 100MW onsemi 3-SMD, Flat Lead 100mW 1 mA Surface Mount 150°C (TJ) VTFP N-Channel 3.5pF @ 2V 140µA @ 2V 200mV @ 1µA
FJN598JABU JFET N-CH 20V 0.15W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 20V 150mW 1 mA Through Hole 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 3.5pF @ 5V 100µA @ 5V 600mV @ 1µA
U291-E3 JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Vishay Siliconix TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 30V 500mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-206AC (TO-52) N-Channel 160pF @ 0V 200mA @ 10V 1.5V @ 3nA 7 Ohms
2N5116JTXV02 JFET P-CH 30V TO-18 Vishay Siliconix TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Through Hole TO-206AA (TO-18)
2N5433-E3 JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 Vishay Siliconix TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 25V 300mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-206AC (TO-52) N-Channel 30pF @ 0V 100mA @ 15V 3V @ 3nA
SST174-E3 JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 Vishay Siliconix TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) TO-236 P-Channel 20pF @ 0V 20mA @ 15V 5V @ 10nA 85 Ohms
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.