Полупроводники, Транзисторы, JFET в корпусе ECSP1006-3
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XFDFN
- Тип корпуса: ECSP1006-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 100mW
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
- Ток стока макс (Id): 10 mA
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
- Сопротивление канала (On): 200 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XFDFN
- Тип корпуса: ECSP1006-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1.7pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 100mW
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 20V
- Ток стока макс (Id): 1 mA
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 1µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100