Полупроводники, Транзисторы, JFET в корпусе S-Mini

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • 2SK208-R(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V S-MINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 6.5 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK208-Y(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V S-MINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 6.5 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100