Полупроводники, Транзисторы, JFET в корпусе 3-USFP

Найдено: 10
  • JFET N-CH 1MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-1123
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
    • Ток стока макс (Id): 1 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 1MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-1123
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V
    • Ток стока макс (Id): 1 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 10MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 1MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-1123
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V
    • Ток стока макс (Id): 1 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 1MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-1123
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
    • Ток стока макс (Id): 1 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 1MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-1123
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V
    • Ток стока макс (Id): 1 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 1MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 0.7pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 1 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 10MA 30MW USFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: