• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
CP216-2N4392-CM JFET N-CH SWITCH CHOPPER Central Semiconductor Corp Die 40V Surface Mount -65°C ~ 175°C (TJ) Die N-Channel 14pF @ 20V 2V @ 1A 60 Ohms
CP216-2N4393-WN JFET N-CH SWITCH CHOPPER Central Semiconductor Corp Die 40V Surface Mount -65°C ~ 175°C (TJ) Die N-Channel 14pF @ 20V 500mV @ 1A 100 Ohms
MV2N4860 N CHANNEL JFET Microsemi Corporation TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 30V 360mW Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-18 N-Channel 30V 18pF @ 10V 100mA @ 15V 6V @ 500pA 40 Ohms Military, MIL-PRF-19500/385
MX2N4392 N CHANNEL JFET Microsemi Corporation
2N5459 JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 25V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 7pF @ 15V 4mA @ 15V 2V @ 10nA
TF252-4-TL-H JFET N-CH 1MA 30MW USFP onsemi SOT-1123 30mW 1 mA Surface Mount 150°C (TJ) 3-USFP N-Channel 3.1pF @ 2V 140µA @ 2V 100mV @ 1µA
2N5457_D74Z JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 25V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 7pF @ 15V 1mA @ 15V 500mV @ 10nA
J110RLRA TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 25V 310mW Through Hole 135°C (TJ) TO-92 (TO-226) N-Channel 10mA @ 15V 500mV @ 1µA 18 Ohms
MMBF4392 JFET N-CH 30V 0.35W SOT23-3 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 14pF @ 20V 25mA @ 20V 2V @ 1nA 60 Ohms
PF53012 JFET N-CH 30V TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 30µA @ 10V 1.7V @ 1nA
TF256TH-3-TL-H SMALL SIGNAL FET Rochester Electronics, LLC 3-SMD, Flat Lead 100mW Surface Mount 150°C (TJ) VTFP N-Channel 3.1pF @ 2V 100µA @ 2V 100mV @ 1µA
U290-E3 JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Vishay Siliconix TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 30V 500mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-206AC (TO-52) N-Channel 160pF @ 0V 500mA @ 10V 4V @ 3nA 3 Ohms
2N4392 MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Vishay Siliconix TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 40V 1.8W Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-206AA (TO-18) N-Channel 14pF @ 20V 25mA @ 20V 2V @ 1nA 60 Ohms
2N4859JTXV02 JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Vishay Siliconix TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Through Hole TO-206AA (TO-18)
2N5115JTVL02 JFET P-CH 30V TO-18 Vishay Siliconix TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Through Hole TO-206AA (TO-18)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.