Полупроводники, Транзисторы, JFET UnitedSiC

Найдено: 6
  • 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 254W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 1200V
    • Ток стока макс (Id): 33.5 A
    • Сопротивление канала (On): 90 mOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 429W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 1200V
    • Ток стока макс (Id): 63 A
    • Сопротивление канала (On): 45 mOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 190W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 650V
    • Ток стока макс (Id): 32 A
    • Сопротивление канала (On): 95 mOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 441W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 650V
    • Ток стока макс (Id): 85 A
    • Сопротивление канала (On): 33 mOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET 1700V SIC
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
    • Тип корпуса: D2PAK-7
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1.7 V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 68W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 1.7 V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1.7 V
    • Ток стока макс (Id): 6.8 A
    • Сопротивление канала (On): 500 mOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1.2V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 254W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 1.2 V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1.2 V
    • Ток стока макс (Id): 34 A
    • Сопротивление канала (On): 55 mOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: