Полупроводники, Транзисторы, JFET Fairchild Semiconductor

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 225mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 125 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.7V @ 1nA

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 225mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 4nA
• Сопротивление канала (On): 40 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 50 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA
• Сопротивление канала (On): 5 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
• Тип корпуса: SOT-223-4
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 1W
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 3 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 80 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA
• Сопротивление канала (On): 10 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-623F
• Тип корпуса: SOT-623F
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• Мощность - Макс.: 100mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 20V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
• Ток стока макс (Id): 1 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 225mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 300 Ohms