Полупроводники, Транзисторы, JFET Harris Corporation

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-71-6 Metal Can
• Тип корпуса: TO-71
• Тип канала: 2 N-Channel
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TA)
• Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• Тип корпуса: TO-72
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 0.03pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 360mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 3mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500 mV @ 20 µA
• Сопротивление канала (On): 17 mOhms

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• Тип корпуса: TO-72
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 330mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 6.5 V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500 mV @ 50 µA

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• Тип корпуса: TO-72-4
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 300mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 100nA