Полупроводники, Транзисторы, JFET в корпусе 8-DFN (2x2)

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: 174DFN
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• Ток стока макс (Id): 50 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 85 Ohms

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока макс (Id): 10 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 38 Ohms

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 300mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
• Ток стока макс (Id): 50 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 60 Ohms

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока макс (Id): 10 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 7.5 V @ 1 µA
• Сопротивление канала (On): 50 Ohms