Полупроводники, Транзисторы, JFET в корпусе SOT-23

Найдено: 25
  • JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 85 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 25V .7MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC JFET P-CH SOT23-3
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC JFET P-CH SOT23-3
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 70V 80UA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 40V 50MA SOT23
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 40V 50MA SOT23
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 35V 10MA SOT23
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 35V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
    • Ток стока макс (Id): 30 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET P-CH 35V 1MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET P-CH 55V 4MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET P-CH 55V 2MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET P-CH 35V 8MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET P-CH 35V 4MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: