• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
2N4093UB JFET N-CHAN 40V 3SMD Microchip Technology 3-SMD, No Lead 40V 360mW Surface Mount -65°C ~ 175°C (TJ) 3-UB (3.09x2.45) N-Channel 40V 16pF @ 20V 8mA @ 20V 80 Ohms
2N4393 N CHANNEL JFET Microsemi Corporation
J2A012YXS/T1AY403, TRANSISTOR JFET 8PLLCC NXP USA Inc.
2SK3666-4-TB-E JFET N-CH 30V 0.2W CP onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 200mW 10 mA Surface Mount 150°C (TJ) SMCP N-Channel 30V 4pF @ 10V 2.5mA @ 10V 180mV @ 1µA 200 Ohms
BFR30LT1G JFET N-CH 225MW SOT23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 (TO-236) N-Channel 25V 5pF @ 10V 4mA @ 10V 5V @ 0.5nA
2N5460 JFET P-CH 40V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body 40V 350mW Through Hole -65°C ~ 135°C (TJ) TO-92 (TO-226) P-Channel 7pF @ 15V 1mA @ 15V 750mV @ 1µA
J110RLRAG JFET N-CH 25V 0.31W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 25V 310mW Through Hole 135°C (TJ) TO-92 (TO-226) N-Channel 10mA @ 15V 500mV @ 1µA 18 Ohms
PN4392_D27Z JFET N-CH 30V 625MW TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 30V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 14pF @ 20V 25mA @ 20V 2V @ 1nA 60 Ohms
TF262TH-5-TL-H JFET N-CH 1MA 100MW onsemi 3-SMD, Flat Lead 100mW 1 mA Surface Mount 150°C (TJ) VTFP N-Channel 3.5pF @ 2V 210µA @ 2V 200mV @ 1µA
2SK1069-5-TL-E LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE onsemi SC-70, SOT-323 40V 150mW 20 mA Surface Mount 150°C (TJ) 3-MCPH N-Channel 40V 9pF @ 10V 300 mV @ 1 µA
FJN598JATA JFET N-CH 20V 0.15W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 20V 150mW 1 mA Through Hole 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 3.5pF @ 5V 100µA @ 5V 600mV @ 1µA
2SK771-5-TB-E JFET N-CH 20MA 200MW SCP onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW 20 mA Surface Mount 3-CP N-Channel 40V 9pF @ 10V 5mA @ 10V
J111,126 JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 40V 400mW Through Hole 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 40V 6pF @ 10V (VGS) 20mA @ 15V 10V @ 1µA 30 Ohms
MMBF4393LT1 JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Rochester Electronics, LLC
2N5114JTXV02 JFET P-CH 30V TO-206AA Vishay Siliconix TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Through Hole TO-206AA (TO-18)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.