- Производитель
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Мощность - Макс.
- Ток стока макс (Id)
- Тип корпуса
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Мощность - Макс.
|
Ток стока макс (Id)
|
Вид монтажа
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
Сопротивление канала (On)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMPFJ310 TR | IC JFET P-CH SOT23-3 | Central Semiconductor Corp | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 25V | 350mW | Surface Mount | -65°C ~ 150°C (TJ) | SOT-23 | N-Channel | 25V | 5pF @ 10V | 24mA @ 10V | 2V @ 1nA | |||
| 2N5638 | SMALL SIGNAL FET | Fairchild Semiconductor | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 30V | 350mW | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-92-3 | N-Channel | 10pF @ 12V (VGS) | 50mA @ 20V | 30 Ohms | ||||
| J210 TO-92 3L | JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH | Linear Integrated Systems, Inc. | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 25V | 360mW | Through Hole | -55°C ~ 150°C | TO-92 | N-Channel | 4pF @ 15V | 2mA @ 15V | 1V @ 1nA | J210 | |||
| 2N5115UB/TR | JFET | Microchip Technology | 3-SMD, No Lead | 30V | 500mW | Surface Mount | -65°C ~ 200°C (TJ) | UB | P-Channel | 30V | 25pF @ 15V | 60mA @ 15V | 6V @ 1nA | 100 Ohms | Military, MIL-PRF-19500 | |
| MV2N4391 | N CHANNEL JFET | Microchip Technology | ||||||||||||||
| MX2N4392UB/TR | JFET | Microchip Technology | ||||||||||||||
| 2N4392 | N CHANNEL JFET | Microchip Technology | ||||||||||||||
| J2A020YXS/T0BY425, | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | ||||||||||||||
| MMBFJ177LT1 | MOSFET SS P-CHAN 25V SOT23 | onsemi | ||||||||||||||
| TF202THC-3-TL-H | JFET N-CH 1MA 100MW VTFP | onsemi | 3-SMD, Flat Lead | 100mW | 1 mA | Surface Mount | 3-VTFP | N-Channel | 3.5pF @ 5V | 140µA @ 5V | 200mV @ 1µA | |||||
| FJZ594JBTF | JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F | onsemi | SOT-623F | 20V | 100mW | 1 mA | Surface Mount | 150°C (TJ) | SOT-623F | N-Channel | 3.5pF @ 5V | 150µA @ 5V | 600mV @ 1µA | |||
| MMBF5103 | JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 40V | 350mW | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | SOT-23-3 | N-Channel | 16pF @ 15V | 10mA @ 15V | 1.2V @ 1nA | ||||
| MPF4392 | JFET N-CH 30V 0.35W TO92 | onsemi | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | 30V | 350mW | Through Hole | -65°C ~ 150°C (TJ) | TO-92 (TO-226) | N-Channel | 30V | 10pF @ 15V (VGS) | 25mA @ 15V | 2V @ 10nA | 60 Ohms | ||
| 2SK715U | SMALL SIGNAL FET | Rochester Electronics, LLC | SC-72 | 300mW | Through Hole | 125°C (TJ) | 3-SPA | N-Channel | 15V | 10pF @ 5V | 7.3mA @ 5V | 600mV @ 100µA | ||||
| 2N4860JTX02 | JFET N-CH 30V TO-206 | Vishay Siliconix | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | Through Hole | TO-206AA (TO-18) |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.
Справочная информация по основным параметрам:
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) —
по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) —
Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) —
Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) —
Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) —
Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) —
Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) —
Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.