• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
  • 2N5461_D74Z
    JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFE150DCKR
    ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN
    Texas Instruments
    • Производитель: Texas Instruments
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
    • Тип корпуса: SC-70-5
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 24pF @ 5V
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 50 mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N4092UB/TR
    JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 3-UB (3.09x2.45)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
    • Сопротивление канала (On): 50 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3823
    N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/375
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-72
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 8V @ 500pA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK1070PIETR-E
    JFET N-CH MPAK
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: 3-MPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 22V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 0V @ 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TF202THC-5-TL-H
    JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-VTFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
    • Ток стока макс (Id): 1 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MX2N4859UB/TR
    JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBFJ175LT3G
    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 125 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF246B
    SCR
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TF252TH-4-TL-H
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-VTFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5115UB
    P CHANNEL JFET
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MV2N4861
    N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/385
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA
    • Сопротивление канала (On): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK596S-A
    SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3821
    N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/375
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-72
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EC3A04B-3-TL-H
    JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-XFDFN
    • Тип корпуса: ECSP1006-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.