• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
J112 JFET N-CH 35V TO92 Central Semiconductor Corp TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 35V 350mW Through Hole -65°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 5pF @ 10V (VGS) 5mA @ 15V 5V @ 1µA 50 Ohms
CMPFJ310 BK IC JFET P-CH SOT23-3 Central Semiconductor Corp TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25V 350mW Surface Mount -65°C ~ 150°C (TJ) SOT-23 N-Channel 25V 5pF @ 10V 24mA @ 10V 2V @ 1nA
SST4416 SOT-23 3L WIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N- Linear Integrated Systems, Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 300mW Surface Mount -55°C ~ 135°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 0.8pF @ 15V SST4416
LS26VNS DFN 8L SINGLE N-CHANNEL JFET, VOLTAGE C Linear Integrated Systems, Inc. 8-VFDFN Exposed Pad 40V 350mW 10 mA Surface Mount -55°C ~ 135°C (TJ) 8-DFN (2x2) N-Channel 40V 13pF @ 20V 6V @ 1µA 38 Ohms
LSK389B TO-71 6L LOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH Linear Integrated Systems, Inc. TO-71-6 Metal Can 40V 400mW 10 mA Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-71 2 N-Channel (Dual) 40V 25pF @ 10V 6mA @ 10V 300 mV @ 1 µA LSK389
MX2N4392UB N CHANNEL JFET Microchip Technology
2N4391UB N CHANNEL JFET Microchip Technology
MV2N4857UB N CHANNEL JFET Microsemi Corporation
NTE452 JFET-N-CH UHF/VHF AMP NTE Electronics, Inc
J177 JFET P-CH 30V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 P-Channel 1.5mA @ 15V 800mV @ 10nA 300 Ohms
TF410-TL-HX JFET N-CH 1MA 30MW USFP onsemi
2SK715U-AC SMALL SIGNAL FET Rochester Electronics, LLC SC-72 300mW Through Hole 125°C (TJ) 3-SPA N-Channel 15V 10pF @ 5V 7.3mA @ 5V 600mV @ 100µA
2SK208-O(TE85L,F) JFET N-CH 50V SC59 Toshiba Semiconductor and Storage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 50V 100mW 6.5 mA Surface Mount 125°C (TJ) SC-59 N-Channel 8.2pF @ 10V 600µA @ 10V 400mV @ 100nA
SST175-T1-E3 MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3 Vishay Dale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount TO-236 (SOT-23)
2N5432-2 JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 Vishay Siliconix TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 25V 300mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-206AC (TO-52) N-Channel 30pF @ 0V 150mA @ 15V 4V @ 3nA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.