Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения.
Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.
Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.
Справочная информация по основным параметрам:
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Transistor Type (Тип транзистора) —
Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) —
Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) —
V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) —
h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) —
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) —
ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Frequency - Transition (Граничная частота) —
Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.