Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 100mA, 150mA
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA, 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 180MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 140MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: UMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 140MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: UMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA, 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: UMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 140MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100