Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 1A

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • HR1F3P(0)-T1-AZ
    HR1F3 - COMPOUND TRANSISTOR
    Renesas
    • Производитель: Renesas
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SC-62
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Резистор базы (R1): 2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTDG14GPT100
    TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: MPT3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HD1A3M(0)-T1-AZ
    TRANSISTOR NPN SC62-3
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Серия: HD1
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SC-62
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 2V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTDG23YPT100
    TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: MPT3
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HD1A3M(0)-T1-AZ
    TRANSISTOR NPN SC62-3
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Серия: HD1
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SC-62
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 2V
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100