Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 150mA

Найдено: 5
  • TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 140MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 140MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C
    Panjit International Inc.
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: SOT-23-6
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V, 30V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 300mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA, 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz, 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 140MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: