Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения I_C(MAX) 100mA, 200mA

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: 6-TSSOP
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA, 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Граничная частота: 230MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-553
• Тип корпуса: SOT-553
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA, 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-553
• Тип корпуса: SOT-553
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA, 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms