Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 70mA

Найдено: 39
  • TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 190MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: PG-SC-75
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: EMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: PG-TSFP-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: PG-SC-75
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 190MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: PG-SC-75
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: VMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: PG-TSFP-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: PG-TSFP-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT-323
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Усиление по току (hFE): 68 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: