Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
CY7C1413AV18-250BZCT IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 250MHz Volatile 36Mb (2M x 18) 1.7V ~ 1.9V SRAM - Synchronous, QDR II+ 0°C ~ 70°C (TA) 165-FBGA (15x17) 165-LBGA Parallel
IS43LR16800G-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 166MHz Volatile 128Mb (8M x 16) 1.7V ~ 1.95V SDRAM - Mobile LPDDR -40°C ~ 85°C (TA) 60-TFBGA (8x10) 60-TFBGA 5.5ns Parallel 15ns
IS26KL128S-DABLI00 IC FLASH 128MBIT PAR 24VFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount FLASH 100MHz Non-Volatile 128Mb (16M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 24-VFBGA (6x8) 24-VBGA 96ns Parallel
AT25080B-MAHL-T IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8UDFN Microchip Technology Surface Mount EEPROM 20MHz Non-Volatile 8Kb (1K x 8) 1.8V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-UDFN (2x3) 8-UFDFN Exposed Pad SPI 5ms
SST25VF020B-80-4I-QAE IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8WSON Microchip Technology Surface Mount FLASH 80MHz Non-Volatile 2Mb (256K x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH -40°C ~ 85°C (TA) 8-WSON 8-WDFN Exposed Pad SPI 10µs SST25
SST49LF080A-33-4C-NHE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 32PLCC Microchip Technology Surface Mount FLASH 33MHz Non-Volatile 8Mb (1M x 8) 3V ~ 3.6V FLASH 0°C ~ 85°C (TA) 32-PLCC (11.43x13.97) 32-LCC (J-Lead) 120ns Parallel 20µs SST49
MT46V128M8P-6T:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 167MHz Volatile 1Gb (128M x 8) 2.3V ~ 2.7V SDRAM - DDR 0°C ~ 70°C (TA) 66-TSOP 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 700ps Parallel 15ns
MT48H16M32LFCM-6:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 166MHz Volatile 512Mb (16M x 32) 1.7V ~ 1.95V SDRAM - Mobile LPSDR 0°C ~ 70°C (TA) 90-VFBGA (10x13) 90-VFBGA 5ns Parallel 15ns
MT53B256M64D2NW-062 WT:C IC DRAM 16GBIT 1600MHZ FBGA Micron Technology Inc. DRAM 1.6GHz Volatile 16Gb (256M x 64) 1.1V SDRAM - Mobile LPDDR4 -30°C ~ 85°C (TC)
MT46V32M16P-6T:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 167MHz Volatile 512Mb (32M x 16) 2.3V ~ 2.7V SDRAM - DDR 0°C ~ 70°C (TA) 66-TSOP 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 700ps Parallel 15ns
70V7519S200BC8 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM 200MHz Volatile 9Mb (256K x 36) 3.15V ~ 3.45V SRAM - Dual Port, Synchronous 0°C ~ 70°C (TA) 256-CABGA (17x17) 256-LBGA 3.4ns Parallel
7024S20PFG IC SRAM Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 64Kb (4K x 16) 4.5V ~ 5.5V SRAM - Dual Port, Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 100-TQFP (14x14) 100-LQFP 20ns Parallel 20ns
IDT71V2556S150PF8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM 150MHz Volatile 4.5Mb (128K x 36) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 0°C ~ 70°C (TA) 100-TQFP (14x14) 100-LQFP 3.8ns Parallel
70V06S45PF8 IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 128Kb (16K x 8) 3V ~ 3.6V SRAM - Dual Port, Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 64-TQFP (14x14) 64-LQFP 45ns Parallel 45ns
BR25L160-W IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8DIP Rohm Semiconductor Through Hole EEPROM 5MHz Non-Volatile 16Kb (2K x 8) 1.8V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-DIP-T 8-DIP (0.300", 7.62mm) SPI 5ms

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.