• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 63748
  • SST25VF020B-80-4I-QAE
    IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8WSON
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: SST25
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-WSON
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
    • Технология: FLASH
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 80MHz
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 10µs
    • Интерфейс: SPI
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SST49LF080A-33-4C-NHE-T
    IC FLASH 8MBIT PARALLEL 32PLCC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: SST49
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
    • Тип корпуса: 32-PLCC (11.43x13.97)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 8Mb (1M x 8)
    • Технология: FLASH
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 33MHz
    • Время доступа: 120ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 20µs
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 70V7519S200BC8
    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 256-LBGA
    • Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
    • Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
    • Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
    • Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 3.4ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 7024S20PFG
    IC SRAM
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 64Kb (4K x 16)
    • Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 20ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AT25080B-MAHL-T
    IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8UDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-UDFN (2x3)
    • Напряжение питания: 1.8V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 8Kb (1K x 8)
    • Технология: EEPROM
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 20MHz
    • Формат памяти: EEPROM
    • Время цикла записи - слово, страница: 5ms
    • Интерфейс: SPI
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS26KL128S-DABLI00
    IC FLASH 128MBIT PAR 24VFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 24-VBGA
    • Тип корпуса: 24-VFBGA (6x8)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 100MHz
    • Время доступа: 96ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT46V128M8P-6T:A TR
    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 167MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS43LR16800G-6BLI-TR
    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-TFBGA (8x10)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IDT71V2556S150PF8
    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 150MHz
    • Время доступа: 3.8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 70V06S45PF8
    IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 64-LQFP
    • Тип корпуса: 64-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
    • Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 45ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 45ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CY7C1413AV18-250BZCT
    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 165-LBGA
    • Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 36Mb (2M x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT48H16M32LFCM-6:B TR
    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-VFBGA
    • Тип корпуса: 90-VFBGA (10x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BR25L160-W
    IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8DIP
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-DIP-T
    • Напряжение питания: 1.8V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 16Kb (2K x 8)
    • Технология: EEPROM
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 5MHz
    • Формат памяти: EEPROM
    • Время цикла записи - слово, страница: 5ms
    • Интерфейс: SPI
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT46V32M16P-6T:F
    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 167MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT53B256M64D2NW-062 WT:C
    IC DRAM 16GBIT 1600MHZ FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
    • Напряжение питания: 1.1V
    • Объем памяти: 16Gb (256M x 64)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Формат памяти: DRAM
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.